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题名:
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ESD设计与综合 ESD she ji yu zong he / (美)[沃尔德曼]Steven H. Voldman著 , 刘志伟译 |
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ISBN:
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978-7-111-42776-6 价格： CNY68.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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XVI, 230页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2013 |
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内容提要:
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本书的目的在于教会读者半导体芯片上ESD设计的“艺术”。全书的线索将按照如下顺序：版图布局、结构、电源轨及电源轨的ESD网络、ESD信号引脚解决方案、保护环还有一大批实现的实例。 |
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主题词:
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芯片 静电防护 |
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中图分类法:
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TN430.2 版次： 5 |
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主要责任者:
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沃尔德曼 wo er de man 著 |
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次要责任者:
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刘志伟 liu zhi wei 译 |
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责任者附注:
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Steven H. Voldman由于在CMOS、SOI和SiGe工艺下的静电放电(ESD)保护方面所作出的贡献，而成为了ESD领域的第一位IEEE Fellow。他于1979年在布法罗大学获得了工程学学士学位；并于1981年在麻省理工学院(MIT)获得了电子工程方向的硕士学位；以后又在MIT获得第二个电子工程学位(工程硕士学位)；1986年他在IBM的驻地研究员计划下从佛蒙特大学获得了工程物理学硕士学位，并于1991年从该校获得了电子工程的博士学位 |
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索书号:
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TN430.2/3894 |