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题名:
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纳米级场效应晶体管建模与结构优化研究 na mi ji chang xiao ying jing ti guan jian mo yu jie gou you hua yan jiu / 靳晓诗, 刘溪著 , |
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ISBN:
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978-7-302-47779-2 价格： CNY68.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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241页 图 26cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 清华大学出版社 出版日期： 2017 |
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内容提要:
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本书是对作者在纳米级场效应晶体管领域科研学术成果的系统性论述，具体内容包括纳米级场效应晶体管寄生电容模型、传统纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管机理模型、新兴无结型场效应晶体管机理模型以及无结型场效应晶体管的结构优化。在建模的过程中，充分考虑了器件的具体结构和掺杂浓度等参数对器件工作特性的影响，系统地建立了具有双栅、围栅等多栅结构的纳米级场效应晶体管的机理模型体系，并给出了深纳米级尺度下新兴无结场效应晶体管的优化方案。 |
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主题词:
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场效应晶体管 建立模型 |
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主题词:
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场效应晶体管 优化结构 |
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中图分类法:
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TN386 版次： 5 |
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主要责任者:
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靳晓诗 jin xiao shi 著 |
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主要责任者:
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刘溪 liu xi 著 |
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责任者附注:
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靳晓诗，工学博士，沈阳工业大学副教授，辽宁省优秀硕士论文指导教师。 |
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责任者附注:
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刘溪，工学博士，沈阳工业大学硕士生导师。 |
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索书号:
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TN386/4204 |