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题名:
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碳化硅器件工艺核心技术 Tan Hua Gui Qi Jian Gong Yi He Xin Ji Shu / (希) 康斯坦丁·泽肯特斯, (英) 康斯坦丁·瓦西列夫斯基等著 , 贾护军, 段宝兴, 单光宝译 |
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ISBN:
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978-7-111-74188-6 价格： CNY189.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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xvi, 411页, [4] 页图版 图 (部分彩图) 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 2024 |
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内容提要:
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本书共9章，以碳化硅(SiC)器件工艺为核心，重点介绍了SiC材料生长、表面清洗、欧姆接触、肖特基接触、离子注入、干法刻蚀、电解质制备等关键工艺技术，以及高功率SiC单极和双极开关器件、SiC纳米结构的制造和器件集成等，每一部分都涵盖了上百篇相关文献，以反映这些方面的最新成果和发展趋势。 |
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主题词:
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功率半导体器件 研究 |
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中图分类法:
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TN303 版次： 5 |
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主要责任者:
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泽肯特斯 Ze Ken Te Si 著 |
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主要责任者:
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瓦西列夫斯基 Wa Xi Lie Fu Si Ji 著 |
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次要责任者:
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贾护军 Jia Hu Jun 译 |
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次要责任者:
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段宝兴 Duan Bao Xing 译 |
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次要责任者:
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单光宝 Dan Guang Bao 译 |
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附注:
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机工电子 |
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索书号:
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TN303/3224 |